无源晶振外部负载电容计算

记录晶体的驱动电路以及外部负载电容的计算方法。

晶体驱动电路如下图: |700x324 其中

  • Rext:外部限流电阻。
  • CL1和CL2:两个外部负载电容。
  • Cs:由于PCB布线及连接等寄生效应引起的等效杂散电容,一般在2~7pF之间。

负载电容CL

负载电容CL值由晶振制造商给出。以星通时频 SX3B25.000F2010F30 晶振为例。 |700x403 上图是晶振的数据手册中关于晶振特性的介绍。可以看到CL=20pF。

CL的表达式如下:

|700x61

Cs取值为5pF。

则 Cl1=Cl2=30pF。

信息

以上为通用计算方法,不同芯片可能存在特殊的计算方法,设计时先查找数据手册。

参考链接

Guidelines for oscillator design on STM8AF/AL/S and STM32 MCUs/MPUs - Application note